BS170 MOSFET de Canal N TO-92

O BS170 é um MOSFET de canal N, embalado numa caixa compacta TO-92. Este tipo de MOSFET é ideal para utilização em circuitos com baixa tensão e corrente, como pequenos transístores de sinal.

Principais especificações:

Tensão Drain-Source (Vds): 60V
Tensão Gate-Source (Vgs): ±20V (contínuo), ±40V (não repetitivo)
Corrente de Drain (Id): 0.5A
Dissipação total de potência: 350 mW a 25°C
Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
Tensão de limiar da gate (Vgs(Th)): 0.8V a 3.0V
Resistência em condução (Rds(on)): Máximo de 5 Ω a Vgs = 10V
Tempos de comutação: Tempo de turn-on e turn-off de 4-10 nanossegundos

O BS170 oferece excelente desempenho em aplicações de comutação rápida graças aos baixos tempos de comutação e é adequado para utilização, entre outros, em pequenos reguladores de potência e amplificadores de sinal.

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N-kanaal MOSFET
TO-92 behuizing
Lage schakeltijd
Lage spanning

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Snelle schakeling – Lage schakeltijden voor snelle toepassingen.
Geschikt voor lage stroom – Ideaal voor kleine signaaltransistoren.
Compacte behuizing – TO-92 behuizing bespaart ruimte.
Voor vermogensregelaars – Geschikt voor kleine vermogensregelaars.
Voor signaalversterkers – Ook bruikbaar in signaalversterkers.

Especificações

Temperatura de trabalho	-55°C a +150°C
Corrente máxima de dreno	0.5A
Tensão máxima dreno-fonte	60V
Tempo máximo de comutação	Tempo de ativação e desativação de 4-10 nanosegundos
Tensão Gate-Source (Vgs)	±20V (contínuo), ±40V (não repetitivo)
Dissipação total de potência	350 mW a 25°C
Tensão de limiar Gate (Vgs(Th))	0.8V a 3.0V
Resistência em condução (Rds(on))	Máximo 5 Ω a Vgs = 10V

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